LED-UV(紫外线)是LED的一种,由Ⅲ-V族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、 GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成。其核心部分是晶片,由以空穴为主的P型半导体和以电子为主的N型半导体结合而成,在这两部分之间有个过渡层,称为PN结。因此,它具有一般PN结的伏安特性,即正向导通、反向截止、反向击穿的特性。此外,它在一定条件下还具有发光特性。在其PN结两端加正向电压时,PN结上多数载流子和少数载流子不断发生复合,并产生光能和热能,这就是 LED-UV的发光机理,如图①所示。
LED发光的主峰波长与半导体材料带隙宽度Eg(单位为电子伏特eV)相关,带隙宽度和主峰波长的计算公式为
LED-UV由直接带隙半导体加工而成,半导体的电子从导带下落到价带,动量始终不变,电子和空穴直接发生复合,这种复合形式几乎能够把发出的能量全部以光的形式产生,因此发光效率更高。
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